无序二维拓扑绝缘体中局部拓扑序参数的涨落与关联

二维拓扑绝缘体以绝缘体bulk和受拓扑bulk电子结构保护的导电边缘态特征，对于中度无序性保持稳健，直到Anderson局域化破坏拓扑相。有趣的是，无序性还可诱导拓扑相——称为拓扑Anderson绝缘体——从纯净的平凡相开始。虽然拓扑不变量通常被视为全局量，但我们认为，空间分辨的拓扑标记可作为局部序参数，揭示了在Anderson无序和空位条件下局部拓扑涨落和关联的作用。基于此视角，我们对Haldane和Kane-Mele模型中的无序驱动的拓扑相变进行数值模拟，使用具有开放边界和周期边界的supercell。我们发现，拓扑标记的短尺度涨落在粗化后消失，除非处于拓扑相变处，在此处其相关长度峰值，大尺度涨落仍然存在。值得注意的是，这种拓扑相关函数由其临界指数描述，这些指数在不同无序类型下呈现普适性，却可分辨不同的拓扑相变。