高阶拓扑安德森绝缘体的实验观测

近来，一类新的对称保护高阶拓扑绝缘体被提出，并被证明具有低维边界态。然而，当体态存在强无序时，晶体对称性被破坏，相关的角态消失。众所周知，向拓扑平庸绝缘体中加入足够无序可诱导出鲁棒边缘态与量子化输运，即所谓拓扑安德森绝缘体。问题在于无序是否也能导致高阶拓扑相。这一点迄今未知，因为无序与高阶拓扑相的相互作用完全不同于其与一阶拓扑系统的相互作用。本文中，我们理论上证明在修正 Haldane 模型中可出现无序诱导的高阶拓扑角态与量子化分数角电荷。实验中，我们利用电路构建此类高阶拓扑安德森绝缘体的经典类比，并通过电压测量观测到无序诱导的角态。我们的工作挑战了无序不利于高阶拓扑相的传统观点，并为研究无序与高阶拓扑相的相互作用提供了可行平台。