无序诱导的三阶拓扑绝缘体
无序系统与神经网络
2024-09-19 v1
摘要
我们发现了首个三阶拓扑安德森绝缘体（TOTAI）的实例。这一由无序诱导的拓扑相具有能隙，并以量子化的八极矩和拓扑保护的角态为特征，这由详细的数值精确分析所揭示。我们还发现，利用自洽玻恩近似可以以极高的精度解析地刻画向 TOTAI 相的无序诱导转变。在更强的无序下，TOTAI 经历向平庸扩散金属的相变，而该金属在更强的无序下又变为安德森绝缘体。我们的发现表明，无序可在三维中诱导三阶拓扑相，从而扩展了已知的高阶拓扑安德森绝缘体的类别。
引用
@article{arxiv.2305.19209,
title = {Third-order topological insulator induced by disorder},
author = {Hugo Lóio and Miguel Gonçalves and Pedro Ribeiro and Eduardo V. Castro},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.19209},
year = {2024}
}