拓扑安德森绝缘体的理论
介观与纳米尺度物理
2013-07-09 v2
摘要
我们提出了一种有效介质理论，解释了在 HgTe 量子阱的计算机模拟中发现的由无序诱导的量子化电导相变。正是随机势和狄拉克哈密顿量中与 p^2 sigma_z 成正比的二次修正的组合，能够将普通带绝缘体驱动为拓扑绝缘体（具有反转带隙）。我们计算了弱无序下相边界的位置，并表明它对应于带边而非迁移率边的穿越。我们提出的拓扑安德森绝缘体形成机制具有普适性，同样适用于具有强自旋-轨道耦合的三维半导体。
引用
@article{arxiv.0908.0881,
title = {Theory of the topological Anderson insulator},
author = {C. W. Groth and M. Wimmer and A. R. Akhmerov and J. Tworzydło and C. W. J. Beenakker},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.0881},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 3 figures (updated figures, calculated DOS)