拓扑安德森绝缘体现象
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v1
摘要
我们研究了无序诱导的量子化电导的本质，即在HgTe/CdTe半导体量子阱中诱导的拓扑安德森绝缘体(TAI)现象。使用紧束缚哈密顿量数值研究了存在反常霍尔效应的几个不同系统中的无序效应。发现TAI现象也出现在包含二次修正并保持电子-空穴对称性的修正狄拉克模型中。它也出现在具有次近邻耦合和交错子格势的石墨烯系统中。比较二维条带和二维圆柱的局域化长度清楚地揭示了该现象的拓扑本质。此外，对TAI现象可能或不可能出现的反常量子霍尔系统中的局域电流密度分析揭示了TAI现象的本质：体态被急剧抑制，只有稳健的边缘态在中等无序下存活。当边缘态足够稳健以抵抗能完全抑制体态的强无序时，TAI现象出现。
引用
@article{arxiv.1109.2375,
title = {Topological Anderson insulator phenomena},
author = {Yanxia Xing and Lei Zhang and Jian Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.2375},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 10 figures