非相互作用拓扑 Anderson 绝缘体的弱量子化
介观与纳米尺度物理
2022-10-11 v2
摘要
我们研究了由强无序诱导的、具有量子化边缘电导的二维拓扑绝缘体（TI）与平庸 Anderson 绝缘体（AI）之间的转变。我们发现了 TI 在相变附近独特的标度行为：纵向电导以系统尺寸的幂律逼近量子化值，而非清洁 TI 中的指数律。该区域因此被称为弱量子化拓扑绝缘体（WQTI）。通过使用自洽 Born 近似，我们将弱量子化的出现与有效自能的虚部在强无序下获得有限值联系起来。我们利用解析理论并结合直接数值模拟，研究了无序范围对拓扑 Anderson 绝缘体的影响。有趣的是，虽然该相对于不相关或短程无序相当普遍，但它被长程无序强烈抑制，这或许解释了为何它在固态系统中从未被观测到。
引用
@article{arxiv.2205.00015,
title = {Weak quantization of non-interacting topological Anderson insulator},
author = {DinhDuy Vu and Sankar Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.00015},
year = {2022}
}
备注
11 pages, 8 figures