修正 Haldane-Hubbard 模型中的高阶拓扑绝缘体
强关联电子
2023-05-03 v1
摘要
我们采用精确对角化计算，研究了具有三重旋转对称性破缺的修正无自旋 Haldane-Hubbard 模型的基态相图。不对称性、相互作用与拓扑之间的相互影响产生了丰富的相图。该哈密顿量的非相互作用极限表现出以角模存在为特征的高阶拓扑绝缘体，这与标准 Haldane 模型已知的手性边缘金属态形成对比。我们的研究表明，这些对称性保护态对有限相互作用的存在具有鲁棒性。此外，在特定的参数区间内，我们证明了该模型中存在拓扑 Mott 绝缘体，其中非平庸拓扑体态与相互作用驱动的电荷密度波共存，其出现以 3 Ising 普适类内的 对称性破缺为特征。
引用
@article{arxiv.2212.10835,
title = {Higher-order topological insulator in a modified Haldane-Hubbard model},
author = {Tian-Cheng Yi and Hai-Qing Lin and Rubem Mondaini},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.10835},
year = {2023}
}
备注
9 pages, 9 figures