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调制 Haldane 模型中的高阶拓扑绝缘体相

介观与纳米尺度物理 2021-09-23 v1

摘要

我们探究了一种调制 Haldane 模型(MHM)的拓扑性质,其中最近邻与次近邻项强度被设为不等,并通过在哈密顿量中引入三聚化项(t1w(2w)<t1s(2s)|t_{1w(2w)}|< t_{1s(2s)})打破了三重旋转对称性 C3\mathcal{C}_3。利用参数 η=t1w/t1s=t2w/t2s\eta={t_{1w}}/{t_{1s}}= t_{2w}/t_{2s},我们证明 MHM 在 η=±0.5\eta=\pm 0.5 处支持从量子反常霍尔绝缘体(QAHI)到 HOTI 相的相变。MHM 还在纳米盘上承载零能角模式,当反演对称性破缺时,该模式可在不发生能隙闭合的情况下转变为平庸绝缘体。能隙闭合的临界态被发现为具有单个狄拉克节点的磁性半金属,与经典 Haldane 模型不同,该节点可沿布里渊区中的高对称线移动。MHM 提供了 HOTI 及其他拓扑与非拓扑相的丰富图景。

关键词

引用

@article{arxiv.2104.10650,
  title  = {A Higher-Order Topological Insulator Phase in a Modulated Haldane Model},
  author = {Baokai Wang and Xiaoting Zhou and Hsin Lin and Arun Bansil},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2104.10650},
  year   = {2021}
}

备注

3 figures for main text, and 1 figure for supplementary materials