论二维晶体绝缘体中角态的拓扑免疫性
介观与纳米尺度物理
2020-10-09 v2
摘要
二维中的高阶拓扑绝缘体 (HOTI) 是一种没有金属边缘态但具有局域在其角上的鲁棒零维拓扑边界模式的绝缘体。然而，这些角模式并未携带其拓扑的明确特征，因为它们缺乏螺旋或手征边界态的异常性质。在此，我们利用免疫测试证明在呼吸 kagome 晶格中发现的角模式是一个典型的身份误认例子。与先前的理论和实验断言相反，我们表明这些角模式本质上是脆弱的：kagome 晶格并未实现高阶拓扑绝缘体。我们通过引入一个基于角电荷-模式对应、用于判断 n 重旋转对称手征绝缘体中拓扑中隙角模式存在的判据来支持这一发现，该判据明确排除了由三重旋转对称性保护的高阶拓扑绝缘体的存在。
引用
@article{arxiv.2005.00560,
title = {On the topological immunity of corner states in two-dimensional crystalline insulators},
author = {Guido van Miert and Carmine Ortix},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.00560},
year = {2020}
}
备注
10 pages, 5 figures. Accepted for publication in NPJ Quantum Materials