多轨道模型揭示 1H 型过渡金属硫族化物中的二阶拓扑绝缘体
介观与纳米尺度物理
2021-10-14 v1 材料科学
摘要
近年来，一类以电子偶极子为特征的新型二阶拓扑绝缘体（SOTI）在理论上被提出，并被认为具有拓扑角态。作为一种新颖的拓扑态，它引起了广泛关注，并基于多子格模型（如呼吸 kagome 晶格）在物理学各领域的人工系统中得到实验实现。为了在自然材料中实现此类 SOTI，我们提出了一种保对称的多轨道模型。进而，我们揭示若干常见的过渡金属硫族化物（TMD）单层作为具有大体能隙的二维 SOTI 材料家族。受电荷中性和填充反常的影响，具有分数电荷的拓扑保护角态被钉扎在费米能级。此外，我们提出将拓扑非平庸薄片嵌入平庸材料构成的异质结构中，零能角态依然得以保留。常见 TMD 材料中这一新颖的二阶角态有望揭示意想不到的量子性质与应用。
引用
@article{arxiv.2108.12855,
title = {Multi-orbital model reveals second-order topological insulator in 1H-transition metal dichalcogenide},
author = {Jiang Zeng and Haiwen Liu and Hua Jiang and Qing-Feng Sun and X. C. Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.12855},
year = {2021}
}