拓扑电路模拟中的二阶拓扑绝缘体与脆弱拓扑
介观与纳米尺度物理
2020-09-22 v1 材料科学
摘要
二阶拓扑绝缘体（SOTI）是 d 维物质拓扑相，在边界交点处呈现 (d-2) 维局域模。我们展示了可通过由层间耦合连接的、具有相反手性的堆叠 Chern 绝缘体来设计 SOTI。为刻画体-角对应关系，我们建立了雅可比变换的嵌套 Wilson 环方法以及一种适用于更广泛高阶拓扑系统的边界理论。相应的拓扑不变量容许角模具有分数电荷的填充反常。该系统呈现出脆弱拓扑相，其特征为 Wilson 环谱中不存在 Wannier 能隙。此外，我们认为所提方法可推广至多层结构。我们的工作为探索和理解高阶拓扑现象提供了视角。
引用
@article{arxiv.2009.09167,
title = {Second-order topological insulator and fragile topology in topological circuitry simulation},
author = {Ce Shang and Xiaoning Zang and Wenlong Gao and Udo Schwingenschlögl and Aurélien Manchon},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.09167},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 4 figures