静态与 Floquet 二阶拓扑绝缘体的耦合线构造
介观与纳米尺度物理
2019-02-14 v2
摘要
二阶拓扑绝缘体（SOTI）在其棱角或拐角处展现受保护的无能隙边界态。在本文中，我们提出一种通用方法，通过以二聚化跃迁振幅沿第二维度耦合一维拓扑绝缘体线，来构造静态与 Floquet 系统中的 SOTI。此类 SOTI 的哈密顿量具有 Kronecker 和结构，使得可通过分别分析在两个正交维度上定义的两个组成一维晶格哈密顿量来获取其特性。所产生的拓扑角态不依赖于任何精细的空间对称性，而仅由系统的手征对称性保护。我们进一步利用我们的思想构造 Floquet SOTI，其拓扑角态的数量可通过改变系统的跃迁振幅任意调控。最后，我们提出通过测量波包的平均手征位移，在实验中探测按我们方法构造的静态与 Floquet SOTI 的拓扑不变量。
引用
@article{arxiv.1811.02325,
title = {Coupled-wire construction of static and Floquet second-order topological insulators},
author = {Raditya Weda Bomantara and Longwen Zhou and Jiaxin Pan and Jiangbin Gong},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.02325},
year = {2019}
}
备注
14 pages, 9 figures. Published version