Bi 与 Bi$_{0.92}$Sb$_{0.08}$ 中高阶拓扑的证据
材料科学
2021-07-27 v4 介观与纳米尺度物理
摘要
高阶拓扑绝缘体(HOTIs)是一类新的拓扑材料，其在晶体的角或棱上承载受保护态。HOTIs 为螺旋与手性边缘态以及 Majorana 模提供了一个引人入胜的替代平台，但此类中已知材料极少。近期研究提出 Bi 作为潜在的 HOTI，然而其拓扑分类尚未被广泛接受。在本工作中，我们表明 Bi 与 BiSb 合金的 (110) 晶面可用于明确确立这些体系的拓扑。使用分子束外延在硅衬底上生长 Bi 与 BiSb (110) 薄膜，并通过扫描隧穿谱进行研究。表面呈现矩形岛，在四条边中的三条上显示出局域化棱态，与 HOTI 相的理论一致。这确立了 Bi 与 BiSb 为 HOTIs，并对整个 BiSb 合金族的拓扑分类提出了疑问。
引用
@article{arxiv.2107.00698,
title = {Evidence for Higher order topology in Bi and Bi$_{0.92}$Sb$_{0.08}$},
author = {Leena Aggarwal and Penghao Zhu and Taylor L. Hughes and Vidya Madhavan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.00698},
year = {2021}
}