旋转调制的分裂环光子绝缘体中的高阶拓扑态

新兴的拓扑学领域将器件效应提升到了新的水平。高阶拓扑绝缘体超越了传统的体-边对应描述，拓宽了对拓扑绝缘相的理解。本文提出了一种具有零维角态和一维边缘态的二阶分裂环光子晶体。基于分裂环开口方向决定的耦合强度，模拟了电子系统的电子跃迁强度，并利用旋转分裂环晶格实现了拓扑二维SSH模型的拓扑平凡与非平凡变换。理论和仿真发现，SSPC具有可由体极化量化的非平凡拓扑边缘态。随着分裂环开口方向在一个周期内逐渐变化，最低能带的四种不同拓扑极化之间会发生转变，这可以方便地用于实现不同拓扑相之间的转变。我们的研究可以扩展到更高维度，并为高阶光子拓扑绝缘体和半金属拓宽研究路径。