三角晶格上高阶拓扑的构造方案
介观与纳米尺度物理
2023-03-29 v1 强关联电子
摘要
我们提出一种可在大类材料中实现的三角晶格上电子 2D 高阶拓扑绝缘体（HOTI）的构造方案。其关键要素是镜面对称性破缺，它允许存在有限四极矩与平庸的 指数。自旋轨道耦合与对称性破缺项之间的竞争产生四种拓扑不同的相；当对称性破缺占主导时（包括无自旋轨道耦合时）出现 HOTI 相。我们确定闪锌矿/金刚石型衬底 (111) 表面上的三角单原子层吸附系统为理想材料平台，并预言 (Al,B,Ga) 在 SiC 上呈现 HOTI 相。
引用
@article{arxiv.2207.01359,
title = {Recipe for higher-order topology on the triangular lattice},
author = {Philipp Eck and Yuan Fang and Domenico Di Sante and Giorgio Sangiovanni and Jennifer Cano},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.01359},
year = {2023}
}
备注
5 pages, 4 figures and 1 table. Supplementary material: 5 pages, 3 figures and 10 tables