基于 Kagome 晶格的手性高阶拓扑绝缘体中的拓扑角态
强关联电子
2017-11-29 v2
摘要
受空间对称性保护的高阶拓扑绝缘体（HOTI）已在具有平方晶格的模型中被深入研究。我们的工作基于呼吸 Kagome 晶格上的另一模型，揭示该晶格中不同类型的角实际上可以有条件地无隙，或始终有隙。利用 Wilson loop 形式体系，我们论证这些角态出现在 Wannier 哈密顿量的本征值在概念性的“泵浦”过程中穿过某一参考点时。结果表明，基于 Kagome 晶格的 HOTI 的角态是 Chern 绝缘体边界上的一维手性边缘态的零维类比，但对角的形状具有敏感的依赖性。我们所采用的泵浦圆柱方法揭示了对称性/无隙能力对应关系，可推广为判定 HOTI 中角（铰链）态分类的一般方案。
引用
@article{arxiv.1711.09202,
title = {Topological Corner States on Kagome Lattice Based Chiral Higher-Order Topological Insulator},
author = {Yichen Xu and Ruolan Xue and Shaolong Wan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.09202},
year = {2017}
}
备注
8 pages, 6+4 figures. Please send your comments to [email protected]