扭曲双层卡戈矽格子的高阶带拓扑

拓扑保护的角落态是二维高阶拓扑绝缘体的关键指示器，然而在真实材料中尚未观察到。本文利用有效紧密绑定模型与对称性论证，建立了高阶拓扑绝缘体与扭曲双层卡戈格子之间的联系。我们发现，由于扭诱导的谱域间散射，扭曲双层卡戈格子体系中出现拓扑非平凡的 bulk 带隙，导致一系列 commensurate 扭角下的高阶拓扑绝缘体的出现，扭曲双层卡戈格子系统的高阶带拓扑通过 second Stiefel-Whitney 数和分数化 quantized corner charge 进行验证。此外，我们研究了无规和电荷密度波序对高阶拓扑绝缘体相稳定性的影响。结果表明，扭曲双层卡戈格子系统的角落态对无规具有鲁棒性，且对电荷密度波同样稳健。我们的工作不仅提供了一种实现可易于可控的高阶拓扑绝缘体相的可行方法，即通过简单扭技巧，还表明扭曲双层卡戈格子系统在高阶带拓扑方面具有鲁棒性，为实验验证上述预测提供了可能性。