角局域态的精确高阶体-边界对应
介观与纳米尺度物理
2021-12-15 v3
摘要
我们证明，绝缘畴角落处局域态的存在并不总是某一非平凡高阶拓扑不变量的预示，尽管它们看似共存于同一哈密顿量参数空间中。我们对 -对称晶体绝缘体及其多层堆叠的分析表明，拓扑角态未必与其他公认的高阶边界可观测量（如分数角电荷或填充异常）相关。例如，在一个 -对称的呼吸 Kagome 晶格中，我们表明成功预测分数角异常的体积极化，并非零能角态的相关拓扑不变量；相反，这些角态可由拓扑边的修饰精确解释。此外，尽管 -对称拓扑晶体绝缘体中的零能角态长期被推测为四分之一填充下体积极化的结果，我们通过引入半填充下的恰当体不变量并建立精确的体-角对应，纠正了这一误解。通过精炼二维拓扑晶体绝缘体中的若干体-角对应，我们的工作推动了将角态存在性与宿主材料高阶拓扑相关联的严格理论基础的进一步发展。
引用
@article{arxiv.2010.10299,
title = {Exact Higher-order Bulk-boundary Correspondence of Corner-localized States},
author = {Minwoo Jung and Yang Yu and Gennady Shvets},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.10299},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 10 figures, lastly re-uploaded on 4/6/21