由潜在晶体对称性保护的高阶拓扑结构
介观与纳米尺度物理
2025-02-26 v3 无序系统与神经网络
强关联电子
量子物理
摘要
我们表明，旋转对称性并非 Cn 对称高阶拓扑晶体绝缘体中 fractional corner charges 存在的必要条件。相反，只要拥有潜在旋转对称性即可，这种对称性可通过对系统执行等谱约化后揭示。我们引入了潜在晶体对称系统的填充异常概念，并提出了修改后的拓扑不变量。因此，二维中由 Cn 对称保护的高阶拓扑概念被推广为由潜在对称性保护。我们的主张得到具体模型的具体例子的支持，这些模型在没有 Cn 对称的情况下显示出非平凡的 corner charge。本工作将拓扑晶体绝缘体的分类扩展到包括潜在对称性。
引用
@article{arxiv.2405.02704,
title = {Higher-order topology protected by latent crystalline symmetries},
author = {L. Eek and M. Röntgen and A. Moustaj and C. Morais Smith},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.02704},
year = {2025}
}
备注
25 pages, 13 figures. 22 pages main text and 3 pages appendix. Regular article to be submitted to SciPost