利用纠缠谱识别高阶拓扑与分数角电荷
介观与纳米尺度物理
2020-03-23 v2 强关联电子
摘要
我们研究了二维 对称二阶拓扑绝缘体（TI）的纠缠谱（ES）。我们表明，一些特征性的高阶拓扑可观测量，例如填充异常及其关联的分数角电荷，可由原子与脆弱拓扑绝缘体的纠缠谱确定。通过构建 Wannier 轨道构型与实空间中不同对称切割下纠缠谱中受保护带隙内态数目之间的关系，我们将分数角电荷用纠缠谱中受保护带隙内态的数目表示。我们表明，只要相互作用保持 旋转对称性与电荷守恒对称性，我们的公式在存在电子-电子相互作用时依然稳健。此外，我们讨论了多体纠缠谱中高阶拓扑的可能特征。我们的方法可在无需使用嵌套 Wilson loop 或嵌套纠缠谱的情况下识别某些类的高阶拓扑。
引用
@article{arxiv.1910.10180,
title = {Identifying Higher Order Topology and Fractional Corner Charge Using Entanglement Spectra},
author = {Penghao Zhu and Kieran Loehr and Taylor L. Hughes},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.10180},
year = {2020}
}
备注
11+4 pages, 8 figures in the main text, 3 figures in appendices