平方晶格上二阶拓扑绝缘体中的纠缠
介观与纳米尺度物理
2019-07-04 v1
摘要
在阶数为 的 维拓扑绝缘体中，其角上存在零能态，这与它的纠缠行为密切相关。我们研究了不同子系统形状的二分纠缠谱，发现仅当纠缠边界具有与晶格匹配的角时，纠缠谱中才存在对应于由相同物理角引起的零能态的精确零模。我们进而考虑有限尺寸系统，此时这些角态通过长程杂化耦合在一起形成多体纠缠态。我们提出了一种在平方晶格上计算四体纠缠熵的方案，该方案可由一个四格点玩具模型很好地描述，从而从多体纠缠的角度提供了识别高阶拓扑绝缘体的另一种途径。
引用
@article{arxiv.1808.01085,
title = {Entanglement in a second order topological insulator on a square lattice},
author = {Qiang Wang and Da Wang and Qiang-Hua Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.01085},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 3 figures