二阶拓扑绝缘体中沿阶梯边缘局域的无能隙态
介观与纳米尺度物理
2021-09-22 v1
摘要
二维平方晶格上的二阶拓扑绝缘体在带隙内宿主零维态。它们局域于构成系统边缘的 与 角处。当边缘呈由这两个角组成的阶梯形式时，由于零维态的杂化，出现两族边缘态（即局域于边缘附近的一维态）。我们辨识出使其无能隙的对称性。我们还证明与该对称性相关的一对非平凡卷绕数保证了边缘态的无能隙谱，表明体-边对应在此具有阶梯边缘的拓扑绝缘器中成立。
引用
@article{arxiv.2109.06412,
title = {Gapless States Localized along a Staircase Edge in Second-Order Topological Insulators},
author = {Yuki Nagasato and Yositake Takane and Yukinori Yoshimura and Shin Hayashi and Takeshi Nakanishi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.06412},
year = {2021}
}
备注
9 pages, 14 figures