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通过切割过程在二阶拓扑绝缘体中铰链态的出现

介观与纳米尺度物理 2020-03-31 v3

摘要

近年来,二阶拓扑绝缘体被提出作为拓扑绝缘体的一类新材料。二阶拓扑绝缘体是体相和表面均有能隙,但在两个表面交线处具有拓扑保护无能隙态的材料。这些无能隙态称为铰链态。在本文中,我们给出一般证明:在 A 类中任何具有反演对称性和表面能隙的绝缘体,当 Z4\mathbb{Z}_{4} 拓扑指标 μ1\mu_{1}μ1=2\mu_{1}=2 时,总是具有铰链态。我们考虑一个三维绝缘体,其沿两个方向的边界条件通过改变跨越边界的跳跃振幅而改变。我们通过连续改变沿两个方向的边界条件来研究无能隙态的行为,并揭示无能隙态的行为源于 Z4\mathbb{Z}_{4} 强拓扑指标。由该讨论,我们表明当强拓扑指标为 Z4=2\mathbb{Z}_{4}=2 且弱拓扑指标为 ν1=ν2=ν3=0\nu_{1}=\nu_{2}=\nu_{3}=0 时,具有表面能隙的三维绝缘体的铰链处不可避免地出现无能隙态。

关键词

引用

@article{arxiv.1910.05938,
  title  = {Appearance of hinge states in second-order topological insulators via the cutting procedure},
  author = {Yutaro Tanaka and Ryo Takahashi and Shuichi Murakami},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1910.05938},
  year   = {2020}
}

备注

17 pages, 13 figures