通过弱耦合实现拓扑绝缘体的带隙边界相
强关联电子
2016-05-06 v3 高能物理 - 理论
摘要
3+1维拓扑绝缘体的标准边界态具有无隙带电费米子。我们提出模型系统，在一个相中重现此标准无隙边界态，但也具有带拓扑序的带隙相。我们的模型是弱耦合的，且所有动力学都是显式的。我们重新推导了拓扑绝缘体的一些已知边界态并构造了新的边界态。与凝聚态物理标准自旋/电荷关系的一致性对模型施加了非平凡约束。
引用
@article{arxiv.1602.04251,
title = {Gapped Boundary Phases of Topological Insulators via Weak Coupling},
author = {Nathan Seiberg and Edward Witten},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.04251},
year = {2016}
}
备注
86 pages, minor changes