拓扑绝缘体中的能隙闭合与普适相图
介观与纳米尺度物理
2012-01-31 v3 材料科学
摘要
我们研究了一个普遍问题：如何通过调节参数使非磁性带绝缘体中的能隙闭合。我们回顾了最近关于二维和三维中所有可能能隙闭合分类的结果。我们表明，它们伴随着Z_2拓扑数的变化，并且能隙闭合对应于量子自旋霍尔相与绝缘体相之间的相变。有趣的是，在反演不对称的三维系统中，量子自旋霍尔相与绝缘体相之间出现了一个无能隙相。这个无能隙相源于三维中能隙闭合点的拓扑性质，而在二维中则不然。
引用
@article{arxiv.1006.1188,
title = {Gap closing and universal phase diagrams in topological insulators},
author = {Shuichi Murakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.1188},
year = {2012}
}
备注
7 pages, 5 figures, proceedings for nanoPHYS'09 in Tokyo