基于三维耦合纳米线构造的分数二阶拓扑绝缘体
介观与纳米尺度物理
2023-04-18 v2
摘要
我们由弱隧穿耦合的 Rashba 纳米线阵列构造了一个具有无能隙螺旋铰链态的三维二阶拓扑绝缘体。对于适当选择的线间隧穿，我们证明该系统具有完全能隙化的体态与完全能隙化的表面，但承载一对 Kramers 简并的无能隙螺旋铰链态，其沿由线间隧穿层级与系统边界终止方式决定的铰链路径传播。此外，耦合纳米线方法使我们可以将电子-电子相互作用纳入描述。在单根纳米线的合适填充因子下，我们证明足够强的电子-电子相互作用可驱动系统进入分数二阶拓扑绝缘体相，其铰链态携带仅电子电荷 的分数 （其中 为奇整数）的电量。
引用
@article{arxiv.2207.04026,
title = {Fractional second-order topological insulator from a three-dimensional coupled-wires construction},
author = {Katharina Laubscher and Pim Keizer and Jelena Klinovaja},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.04026},
year = {2023}
}