高阶拓扑莫特绝缘体
强关联电子
2019-11-13 v2
摘要
我们提出一种新的关联拓扑态，称之为高阶拓扑莫特绝缘体（HOTMI）。由于电子关联，该态展现出引人注目的体-边界对应。即，由 Z3 自旋贝里相位表征的体态拓扑性质，导致仅在自旋激发中出现无隙角模（亦即，单粒子激发在角处仍保持有隙）。我们在kagome晶格上的Hubbard模型中证明了HOTMI的出现，并阐明了强关联如何改变非相互作用情形下的无隙角模。
引用
@article{arxiv.1905.03484,
title = {Higher-order Topological Mott Insulators},
author = {Koji Kudo and Tsuneya Yoshida and Yasuhiro Hatsugai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.03484},
year = {2019}
}