无序高阶拓扑绝缘体中的体-边界对应
无序系统与神经网络
2021-09-13 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在这项工作中，我们研究了无序对二维高阶拓扑绝缘体（HOTIs）体-边界对应影响。我们集中于两种情况：（i）体-角对应，（ii）边-角对应。对于体-角对应情形，我们证明了迁移率隙的存在，并阐明了表征该迁移率隙的相关拓扑不变量。此外，我们发现，尽管系统在无序存在下保持体-角对应，角态由迁移率隙而非体能隙保护。对于边-角对应情形，我们表明 HOTIs 的体迁移率隙与边带隙不再同时闭合。因此，获得了丰富的相图，包括各种无序诱导的相变过程。值得注意的是，实现了从非平庸相到平庸相的无序诱导相变，这区分了 HOTIs 与其他拓扑态。我们的结果深化了对体-边界对应的理解，并丰富了无序 HOTIs 的拓扑相变。
引用
@article{arxiv.2106.00422,
title = {Bulk-boundary correspondence in disordered higher-order topological insulators},
author = {Yu-Song Hu and Yue-Ran Ding and Jie Zhang and Zhi-Qiang Zhang and Chui-Zhen Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.00422},
year = {2021}
}
备注
11 pages, 11 figures