具有反对易镜像与手征对称性的高阶拓扑绝缘体中的选择性体边对应
介观与纳米尺度物理
2025-12-16 v2
摘要
我们研究了受手征对称性与反对易镜像对称性保护的高阶拓扑绝缘体。利用 BDI 类模型（包括典型的拓扑四极子绝缘体），我们表明，破坏与手征算符反对易的镜像对称性会导致边缘选择性的体边对应，其中能隙闭合与束缚态仅出现在具有相同取向和余维度的部分边界上。我们定义了一个新的边缘敏感拓扑不变量，以将此机制与先前关于非拓扑边缘选择效应的报告区分开来。
引用
@article{arxiv.2509.22304,
title = {Selective bulk-boundary correspondence in higher-order topological insulators with anticommuting mirror and chiral symmetries},
author = {Suman Aich and Babak Seradjeh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.22304},
year = {2025}
}
备注
8 pages, including appendix, 7 figures; v2: fixed typos, added references, expanded discussion, 3 new figures; code available at https://doi.org/10.5281/zenodo.17943013