扭转双层石墨烯中的高阶拓扑绝缘体
介观与纳米尺度物理
2019-11-27 v1
摘要
高阶拓扑绝缘体是新近提出的物质拓扑相，其体态拓扑表现为在二维或更高维低边界上的局域模。本工作中，我们提出大角度扭转双层石墨烯作为高阶拓扑绝缘体，具有拓扑角电荷。在大周期 commensurate 角度下，谷间散射打开体态能隙，角态出现在半填充处。基于第一性原理计算与解析分析，我们展示了显著结果：只要底层对称性保持，角态的出现不依赖于具体角度的选择。我们的结果表明扭转双层石墨烯可作为二维高阶拓扑绝缘体的稳健候选材料。
引用
@article{arxiv.1907.02868,
title = {Higher-Order Topological Insulator in Twisted Bilayer Graphene},
author = {Moon Jip Park and Youngkuk Kim and Gil Young Cho and SungBin Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.02868},
year = {2019}
}