仅由具有镜像对称性的在位势所诱导的高阶拓扑角态
介观与纳米尺度物理
2023-01-11 v1
摘要
高阶拓扑绝缘体因在角与棱等低维边界上展现非平庸体态拓扑而引发极大兴趣。尽管已在大量系统中通过调节交错隧穿强度或操控已有拓扑相研究了此类有趣相，本文我们表明高阶拓扑相可仅由镜像对称在位势驱动。我们首先引入一维中模仿 Su-Schrieffer-Heeger 型模型的简单链模型。然而，由于缺乏手性或粒子-空穴等内部对称性，拓扑边缘模的能量不被钉扎于零。一旦将该模型推广至二维，我们观察到拓扑角模的出现。这些角模是非平庸体能带拓扑受镜像对称性保护的内在表现，因而对保持对称性的扰动具有鲁棒性。我们的研究为实现一类高阶拓扑绝缘体提供了简洁方案，其仅涉及调节在位能。这在实验中易于实现，并为设计拓扑角模提供了不同的平台。
引用
@article{arxiv.2201.07567,
title = {Higher-order topological corner states induced solely by onsite potentials with mirror symmetry},
author = {Ya-Jie Wu and Wen He and Ning Li and Zhitong Li and Junpeng Hou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.07567},
year = {2023}
}
备注
9 pages, 7 figurs