二维晶体绝缘体中的拓扑缺陷介导的角州态与高阶体拓扑
强关联电子
2025-08-19 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告在精心设计的二维晶体拓扑绝缘体中观察到的非平凡零能角州模式，形式为拓扑缺陷（三聚体）。该方案通过沿对角线（y=x）线的晶体镜面对称性，对 1 维拓扑原子链进行非传统的堆叠而得。我们的分析表明，通过系统性地变更 hopping 参数 t（链内）、v（单元内）和 w（单元间），该系统表现出多种不同的非平凡二阶拓扑相。这些相由零能角州模式加以区分。在其中一种相中，系统支持四个零能模式，其中两个位于三聚体上，其余两个位于对角线沿线的孤立点上。在第二种情况下，孤立点上的零模式持续存在于角落，而三聚体上的零模式消失。对 Bloch 态相演变进行深入分析，有助于通过使用扭转数来研究这些相的拓扑。我们的工作还表明存在介于不变式与角落零模式之间的体-角落对应关系。当角落处有四个零模式且扭转数为 2 时，我们得出结论，该系统通过调节 hopping 幅值转化为二阶拓扑绝缘体。
引用
@article{arxiv.2407.16520,
title = {Topological defect-mediated corner states and higher-order bulk topology in a two-dimensional crystalline insulator},
author = {Manideep Gone and Srijata Lahiri and Nabyendu Das},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.16520},
year = {2025}
}