由单元扭转创造的高阶拓扑绝缘体中的孤子
光学
2024-06-28 v1 斑图形成与孤子
摘要
我们表明，即使在不改变单元内微区距离的情况下，通过围绕单元中心通过轴线的每个单元扭转波导，仍可创建高阶拓扑绝缘体。应用于常规方形阵列时，这种方法产生了Su-Schrieffer-Heeger(SSH)结构的二维推广，支持具有两个禁谱间隙中所属传播常数的拓扑角落模式。与常规SSH阵列不同，后者通常通过对角波导位移引入高阶拓扑结构，仅存在一种类型的角落态，而我们的SSH类结构在拓扑相位下支持两种共存的相位相同和相位不同角落模式，这两种模式分别出现在两个不同的拓扑间隙中。因此，单元扭转在质的上改变了系统的拓扑性质，为创建高阶拓扑相位提供了新的自由度。在具有 Focusing 三次非线性的材料中，由这些模式产生的两种共存的拓扑角落孤子，其存在性和稳定性被本文研究。尽管两种模式具有不同的内部结构，但在拓扑间隙的可观部分，两种模式都可以同时动态稳定。
引用
@article{arxiv.2406.12524,
title = {Solitons in higher-order topological insulator created by unit cell twisting},
author = {Yaroslav V. Kartashov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.12524},
year = {2024}
}
备注
7 pages, 3 figures, to appear in Chaos, Solitons and Fractals