双层 boronophene 中的二阶拓扑绝缘体

高阶拓扑绝缘体作为新型拓扑状态，在过去几年中吸引了广泛关注。然而，其在真实材料中的实现，特别是二维系统中，仍面临巨大的挑战 due to 缺乏充分的候选材料。本文基于第一性原理计算和紧束模型仿真，识别出目前已存在的 $\alpha_{5}$ 相双层 boronophene 作为二维二阶拓扑绝缘体，由 $C_{2}$ 旋转对称性保护。interlayer B-B 共价键的形成稳定了双层 boronophene 并在费米能级附近打开了较大的直接体能隙（$\sim 0.55-0.62$ eV），发挥了关键作用。二阶拓扑结构由体量化四极矩特征化。我们的结果丰富了二阶拓扑绝缘体的候选材料，也提供了研究 boronophene 中拓扑态的方法。