三维拓扑绝缘体在扭转双层石墨烯上的拓扑表面态
介观与纳米尺度物理
2025-05-06 v1 量子物理
摘要
我们对三维拓扑绝缘体 BiSe 外延生长在扭转双层石墨烯 (tBG) 上的拓扑表面态 (TSS) 进行了全面的理论研究。由 tBG 诱导的摩尔势将 TSS 的狄拉克锥折叠到摩尔布里渊区 (MBZ) 中，导致微带隙打开、能带平坦化以及次级狄拉克点的潜在出现。利用有效场论、对称性分析和高阶微扰理论，我们分析了公度和非公度扭转角，揭示了周期系统中显著的能带结构重构以及非公度系统中的准周期效应。这项工作为理解拓扑保护与莫尔调制之间的相互作用提供了深刻见解，为设计新型拓扑相提供了一条途径。
引用
@article{arxiv.2505.02187,
title = {Topological Surface States of 3D Topological Insulator on Twisted Bilayer Graphene},
author = {Yoonkang Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2505.02187},
year = {2025}
}
备注
11 pages