高阶拓扑瞬子隧穿振荡

我们提出了二维高阶拓扑绝缘体中一种新型的瞬子干涉效应。角间隧穿由穿过高阶拓扑绝缘体边界的瞬子与反瞬子对组成。瞬子对之间的贝里相位差导致隧穿的干涉。这种拓扑效应引起角态之间能隙分裂的栅极可调振荡，其中振荡节点标志着隧穿的完全抑制。我们提出这一现象作为拓扑角态区别于平庸束缚态的独特特征。在实验实现方面，我们以扭曲双层石墨烯为例，作为二维高阶拓扑绝缘体的一个有前景的候选材料。该振荡可通过我们提出的输运实验轻易观测到。因此，我们的工作为识别高阶拓扑材料提供了一条可行途径。