半导体石墨烯 p-n 结中隧穿电流的观测
介观与纳米尺度物理
2011-12-19 v1 材料科学
摘要
我们在双层石墨烯中展示了隧穿和整流行为。阶梯式介电顶栅产生了空间调制的电场，该电场打开了石墨烯的带隙，并在 p-n 界面处形成绝缘区域。在正向偏压下表现出微分电阻峰的电流-电压关系，源于通过 p-n 界面处绝缘区域的隧穿电流。该隧穿电流反映了由电场调制的态密度中的奇点。本研究表明，在二维半导体中通过外部电场调控载流子电荷的效应，类似于在三维半导体中通过杂质掺杂的调控效应。
引用
@article{arxiv.1111.3428,
title = {Observation of Tunneling Current in Semiconducting Graphene p-n Junctions},
author = {Hisao Miyazaki and Michael Lee and Song-Lin Li and Hidefumi Hiura and Kazuhito Tsukagoshi and Akinobu Kanda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.3428},
year = {2011}
}
备注
18 pages, 7 figures, to be published in Journal of the Physical Society of Japan