基于电诱导p-i-n结的石墨烯隧穿渡越时间太赫兹振荡器
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
我们提出并分析了一种基于异质结构的石墨烯隧穿渡越时间器件，该异质结构具有由不同极性的外加栅极电压在石墨烯层中电诱导形成的横向p-i-n结。石墨烯层中耗尽的本征区（位于栅极之间）同时充当隧穿注入区和渡越区。利用所建立的器件模型，我们证明了由于本征区中带间隧穿产生的电子和空穴的弹道渡越会导致太赫兹频率范围内的负交流电导，因此该器件可用作太赫兹振荡器。
引用
@article{arxiv.0901.2678,
title = {Graphene Tunneling Transit-Time Terahertz Oscillator Based on Electrically Induced p-i-n Junction},
author = {V. Ryzhii and M. Ryzhii and V. Mitin and M. S. Shur},
journal= {arXiv preprint arXiv:0901.2678},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures