基于垂直石墨烯双势垒结的单电子隧穿二极管的实验实现
介观与纳米尺度物理
2012-04-26 v1 材料科学
摘要
通常，石墨烯被用于其水平方向以设计新型概念器件。在此，我们报告了一种基于垂直石墨烯双势垒结量子隧穿效应的单电子隧穿二极管。该结是通过将扫描隧道显微镜 (STM) 针尖定位在沉积于石墨表面的石墨烯纳米带上方而形成的。由于双势垒结的不对称性，电子可以从针尖单向转移到石墨烯纳米带，但不能从石墨烯转移到针尖。这一结果为设计新型垂直方向石墨烯晶体管开辟了有趣的机会。
引用
@article{arxiv.1204.5539,
title = {Experimental realization of single electron tunneling diode based on vertical graphene two-barrier junction},
author = {Rui Xu and Ke-Ke Bai and Jia-Cai Nie and Lin He},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.5539},
year = {2012}
}