双层石墨烯隧穿晶体管中的谷极化隧穿电流
介观与纳米尺度物理
2019-02-18 v2
摘要
我们在理论上研究了垂直于层的外磁场中，单层石墨烯/六方氮化硼/双层石墨烯隧穿结上的电子电流。我们表明，双层石墨烯不同石墨烯层上电子的有效隧穿势垒宽度变化，加之其朗道能级波函数并非在各层间均匀分布且两谷间分布反转的事实，导致了隧穿电流的谷极化。我们估计在 B=1 T 的高质量器件中可实现约 70% 的谷极化。此外，我们证明在强动量守恒隧穿极限下以及在该约束被解除的较低质量器件中，均可获得强谷极化。
引用
@article{arxiv.1811.04687,
title = {Valley-polarised tunnelling currents in bilayer graphene tunnelling transistors},
author = {J. J . P. Thompson and D. J. Leech and M. Mucha-Kruczyński},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.04687},
year = {2019}
}
备注
12 pages, 7 figures