基于单层与双层石墨烯间磁隧穿效应的谷滤波器
介观与纳米尺度物理
2014-02-25 v2
摘要
我们考虑了两个平行石墨烯片层之间的隧穿输运，其中一个是单层样品，另一个是双层样品。在面内磁场存在的情况下，隧穿事件中能量与动量守恒的联合作用与两个系统中电荷载流子独特的手性性质相互交织，结果有利于石墨烯布里渊区中两个谷之一中的电子发生隧穿。调节磁场强度可以实现对电流谷极化的操控，其最大值可达 100%，且此时隧穿电导也达到最大值。
引用
@article{arxiv.1312.6729,
title = {Valley filter from magneto-tunneling between single and bi-layer graphene},
author = {L Pratley and U. Zuelicke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.6729},
year = {2014}
}
备注
11 pages (preprint style), 4 figures, RevTex 4.1, v2: minor changes, to appear in Applied Physics Letters