中文

单层石墨烯与双层石墨烯线缺陷模型的谷滤波效率

介观与纳米尺度物理 2017-11-29 v1

摘要

除电子电荷与自旋外,新型材料具有另一自由度——谷。对于一个由谷滤波器夹于两个正常端子构成的结,我们基于单层与双层石墨烯的两种谷滤波器模型,关注无序下的谷效率。应用转移矩阵法,获得了谷分辨透射系数。我们发现:i) 在弱无序下,当线缺陷长度超过约 15nm15\rm nm 时,它充当完美通道(量子化电导)与谷滤波器(完全极化);ii) 在扩散区,背散射与体态辅助的谷间透射的联合效应增强电导并抑制谷极化;iii) 对极长线缺陷,尽管电导很小,极化与长度无关。在垂直磁场下,电荷与谷输运特征仅受轻微影响。最后我们讨论了混合系统中输运谷极化电流的效率。

关键词

引用

@article{arxiv.1711.08164,
  title  = {The valley filter efficiency of monolayer graphene and bilayer graphene line defect model},
  author = {Shu-guang Cheng and Jiaojiao Zhou and Hua Jiang and Qing-Feng Sun},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1711.08164},
  year   = {2017}
}

备注

6 figures