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半填充无序石墨烯的电导率

介观与纳米尺度物理 2007-10-04 v1 无序系统与神经网络

摘要

我们研究了半填充条件下具有不同类型无序的单原子石墨层(石墨烯)的电子输运性质。我们发现系统的输运性质强烈依赖于无序的对称性。我们发现,如果无序性保持清洁哈密顿量的手征对称性之一或不混合谷,则局域化是无效的。在手征无序的情况下,我们得到了最小电导率 4e2/πh4e^2/\pi h 的精确值。对于长程无序(解耦谷),我们推导了有效场论。在光滑随机势的情况下,它是一个辛类 sigma 模型,包含一个具有 θ=π\theta = \pi 的拓扑项。因此,该系统处于量子临界点,电导率具有 e2/he^2/h 量级的普适值。当有效时间反演对称性被破坏时,对称性类别变为幺正类,电导率获得量子霍尔相变特有的值。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0702616,
  title  = {Conductivity of disordered graphene at half filling},
  author = {P. M. Ostrovsky and I. V. Gornyi and A. D. Mirlin},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702616},
  year   = {2007}
}

备注

11 pages, 2 EPS figures; Proceedings of Graphene Conference, MPIPKS Dresden 2006