无序石墨烯量子霍尔区中的非常规特征：渗流杂质态与霍尔电导量子化
介观与纳米尺度物理
2016-03-23 v2
摘要
我们报道了无序石墨烯中临界态的形成，它是量子霍尔区中可变且非常规的输运性质的起源，例如在无能带隙和朗道能级简并破缺情况下的零能霍尔电导平台。通过使用高效实空间输运方法，我们计算了具有模型和双空位随机分布的大尺寸石墨烯薄片的耗散电导与霍尔电导。通过分析输运系数随缺陷密度、系统尺寸和磁长度的标度行为，我们阐明了反常量子霍尔特征的起源是依赖于磁场的杂质态，这些杂质态在某些临界能量处发生渗流。这些发现为实验报道的未确认态和量子输运异常提供了启示。
引用
@article{arxiv.1510.00612,
title = {Unconventional Features in the Quantum Hall Regime of Disordered Graphene: Percolating Impurity States and Hall Conductance Quantization},
author = {Nicolas Leconte and Frank Ortmann and Alessandro Cresti and Stephan Roche},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.00612},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 7 figures. Accepted in PRB