量子霍尔 regime 下无序石墨烯纳米带中的边缘态输运
介观与纳米尺度物理
2012-09-03 v1
摘要
石墨烯纳米带中强无序的存在导致在高电荷密度下出现低迁移率的扩散输运，而在低密度下则出现输运能隙。在此，我们研究了六端子霍尔巴几何结构中窄（60 nm）纳米带的纵向和横向磁阻。在 B= 11 T 时，当朗道能级间距大于朗道能级展宽时，量子霍尔平台出现在 、 和 处。有趣的是，当零能量朗道能级存在于电荷中性点时，输运能隙在量子霍尔 regime 下并未消失，这意味着它不能源于横向限制能隙。在高电荷密度下，纵向电阻和霍尔电阻表现出可重复的涨落，这在霍尔平台之间的过渡区域最为显著。偏压依赖测量强烈表明，这些涨落可归因于无序纳米带中的相位相干散射。
引用
@article{arxiv.1208.6429,
title = {Edge state transport through disordered graphene nanoribbons in the quantum Hall regime},
author = {Fabian Duerr and Jeroen B. Oostinga and Charles Gould and Laurens W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.6429},
year = {2012}
}
备注
experimental paper; 4 pages, 4 figures