刻蚀于单片石墨烯 flakes 中的无序石墨烯量子点的输运谱学

我们展示了在单片石墨烯 sheet 上使用 Ar/O2 等离子体刻蚀出的尺寸分别为 45、60 和 80 nm 的量子点的输运测量结果，从而避免了不同石墨烯 flakes 带来的影响并进行尺寸比较。正如预期，输运能隙和添加能随量子点尺寸减小而增大，并显示出强相关性，表明两者具有相同的物理起源，即在小限制能隙存在下的无序诱导局域化。栅电容测量表明，量子点电荷位于预期的窄器件区域内。栅压依赖性和磁场行为进一步证实了无序的主导作用，这使得只能近似识别电子 - 空穴交叉点和自旋填充序列。最后，我们在误差范围内提取了与 $g=2$ 一致的 $g$ 因子。