利用线缺陷的石墨烯谷滤波器
介观与纳米尺度物理
2011-04-29 v1
摘要
由于在费米能级处具有两个简并谷，石墨烯的能带结构为开发非常规电子学应用提供了机遇。本文表明，无需引入空间限制，即可根据石墨烯中电子和空穴准粒子所占据的谷对其进行滤波。所提出的谷滤波器基于对最近在石墨烯中观察到的线缺陷的散射。量子输运计算表明，该线缺陷是半透明的，并且以大入射角到达线缺陷的准粒子在透射时具有接近 100% 的谷极化率。
引用
@article{arxiv.1103.4313,
title = {Graphene valley filter using a line defect},
author = {Daniel Gunlycke and Carter T. White},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.4313},
year = {2011}
}
备注
5 pages, 4 figures