石墨烯中线缺陷的可控生长及其对门控可调谷滤波的启示
介观与纳米尺度物理
2014-06-05 v1 材料科学
摘要
原子级精确的石墨烯裁剪可以实现不寻常的输运路径和新型纳米尺度功能器件。本文描述了一种通过同时电子辐照和电流焦耳加热在石墨烯中可控生产高度规则的“5-5-8”线缺陷的方法。高分辨率透射电子显微镜揭示了生长过程的各个步骤。基于早期理论工作提出的石墨烯5-5-8线缺陷具有谷区分能力，我们进行了第一性原理输运计算，发现载流子穿过缺陷时的谷极化具有很强的能量依赖性。这些发现启发我们提出一种紧凑的静电门控“谷阀”器件，这是谷电子学的关键组件。
引用
@article{arxiv.1406.0887,
title = {Controlled Growth of a Line Defect in Graphene and Implications for Gate-Tunable Valley Filtering},
author = {J. -H. Chen and G. Autès and N. Alem and F. Gargiulo and A. Gautam and M. Linck and C. Kisielowski and O. V. Yazyev and S. G. Louie and A. Zettl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.0887},
year = {2014}
}