石墨烯器件上氢及氢-空位缺陷结构的显微研究
介观与纳米尺度物理
2018-10-26 v1
摘要
我们利用扫描隧道显微镜（STM）研究了在栅极场效应晶体管构型中由六方氮化硼（h-BN）支撑的单层石墨烯上的两类氢缺陷结构。第一类 H 缺陷通过以 1 keV 电离氢轰击石墨烯产生，并通过实验数据与第一性原理计算比对，确认为两个氢原子键合于石墨烯空位。第二类 H 缺陷被确认为二聚氢，由仅具热能的原子氢沉积到石墨烯表面产生。扫描隧道谱（STS）测量揭示，以此方式形成的氢二聚体在 STM 针尖与石墨烯之间的隧穿电导中开启了一个新的弹性通道。
引用
@article{arxiv.1810.10623,
title = {Microscopy of hydrogen and hydrogen-vacancy defect structures on graphene devices},
author = {Dillon Wong and Yang Wang and Wuwei Jin and Hsin-Zon Tsai and Aaron Bostwick and Eli Rotenberg and Roland K. Kawakami and Alex Zettl and Arash A. Mostofi and Johannes Lischner and Michael F. Crommie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.10623},
year = {2018}
}
备注
5 figures