二维层间隧穿器件中的电流大小
介观与纳米尺度物理
2018-07-19 v2
摘要
利用 Bardeen 隧穿方法结合第一性原理波函数，计算了石墨烯/六方氮化硼/石墨烯（G/h-BN/G）垂直结构中的隧穿电流。与先前的实验结果进行了详细比较，重点关注可实现的隧穿电流大小。在计入石墨烯与 h-BN 的平移和旋转失配效应后，预测电流约为实验值的 15 倍。通过采用 h-BN 能隙的实际尺寸，使隧穿的指数衰减常数受到影响，这一差异减小至 2.5 倍。
引用
@article{arxiv.1712.10226,
title = {Magnitude of the Current in Two-Dimensional Interlayer Tunneling Devices},
author = {Randall M. Feenstra and Sergio C. de la Barrera and Jun Li and Yifan Nie and Kyeongjae Cho},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.10226},
year = {2018}
}
备注
21 page, 9 figures, plus 3 pages of supplementary material; v2 corrects some entries in Table II (from Ref. 25) and the associated discussion